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      3. 博世750V碳化硅小身材,大能量

        2024-04-12 14:44:14·  來源:博世汽車電子事業部
         

        博世第二代碳化硅


        相較于其他硅基器件,博世第二代碳化硅將開關頻率提高了3-5倍,減少約50%的損耗,可延長電動汽車約6%的續航里程,使得更小的電池成為可能,有助于降低新能源汽車的運行成本。該產品能夠在較高電壓和溫度下運行,大幅降低了電動汽車的充電時間。


        與此同時,碳化硅功率模塊具備超高的功率密度,它比傳統的硅基功率模塊體積更小,能節省更多控制器內部的安裝空間。整體而言,該產品能夠助力更強大、更可靠的汽車系統,從而提升終端用戶車輛的整體性能和駕駛體驗。



        對比第一代產品,第二代碳化硅芯片功率密度更高,改進了體二極管,進一步加快了開關速度,并降低了開關損耗。


        在溝槽工藝方面,博世第二代碳化硅MOSFET芯片進一步降低30%的pitch size,實現單位面積Rdson 30%的縮減,Rdsonsp進一步得到降低。博世專利的溝槽技術遙遙領先于平面型工藝碳化硅的技術表現,有利于芯片性能表現、產出與成本控制。


        博世第二代750V碳化硅于2023年第三季度正式SOP,支持更高的結溫耐受,支持短時在最高200℃的溫度下連續運行(生命周期累計不超過100小時),實現碳化硅電橋短時BOOST模式(短時輸出更大的功率),以及更好的高溫性能:

        • 100℃Rdson溫度系數降低至1.125

        • 175℃Rdson溫度系數降低至1.45

          -25℃Rdson@6.4mohm

          -100℃Rdson@7.2mohm

          -175℃Rdson@9.3mohm


        參數及優勢:


        • Rdsonsp 140 mohm*mm2

        • 100度Rdson溫度系數1.125,175度Rdson溫度系數1.45

        • 整體損耗(開關損耗,導通損耗)降低20%

        • 進一步降低Cds結電容,優化寄生導通

        • 體二極管一致性提高

        • 短路魯棒性進一步提升

        • 支持200℃高溫持續運行(生命周期累計不超過100小時)

        • 支持門極負壓關斷(推薦門極工作電壓-5V/18V)

        • 通過高于AQG-324可靠性驗證標準的博世功率芯片可靠性驗證標準

        • 通過DGS, DRB 和 D-H3TRB(動態HTGB、動態HTRB、動態H3TRB)可靠性驗證


        博世在德國羅伊特林根擁有自己的SiC晶圓制造廠,具備研發與生產的能力??梢詫碜陨舷掠喂に嚥襟E的反饋做出迅速反應,并持續改善優化工藝質量與產品質量。


        同時博世在美國羅斯維爾的工廠預計將于2026年前開始生產SiC產品,羅斯維爾的投產將進一步滿足全球電車市場對碳化硅的強勁需求。


        博世汽車電子將持續發力,在質量上精益求精,引領卓越創新,為更多整車廠提供產品力的保證,賦能汽車產業走向未來。

         
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